科研人员在光刻实验室工作小小的芯片支撑我国科技创新的梦想和驱动力。集成电路芯片是信息时代的核心基石，它被誉为现代工业的“粮食”，更加沦为全球高科技竞争中的战略必争制高点。然而，长期以来，我国芯片产业仍然受到西方在先进设备生产装备、材料和工艺引入等方面的种种容许，想享有自律知识产权的高技术芯片，就必需发展我国自己的集成电路生产体系。近年来，我国在集成电路芯片领域投放极大人力物力，获得了明显效益。

特别是在是中科院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心通过4年的艰难研制成功，在22纳米关键工艺技术先导研究与平台建设上，构建了最重要突破。这让我国集成电路生产产业开始享有自己的话语权，该成果也为我国之后自律研发16纳米及以下技术代的关键工艺获取了适当的技术承托，指出我国已开始在全球尖端集成电路技术创新链中享有了自己的地位。

在2016年度北京市科学技术奖票选中，“22纳米集成电路核心工艺技术及应用于”项目荣获一等奖。事关摩尔定律的轮回很多人告诉摩尔定律，但很少有人告诉，在2004年左右，摩尔定律差点“杀了”。

最后是一个取名为低K-金属栅极的技术，让我们2020-03-30 可以精彩的工作、网际网路，而不必考虑到芯片太热、漏电等问题导致的电脑或手机性能上升。根据摩尔定律，每18个月就不会在某种程度面积的硅片上把两倍的晶体管“里斯”进来。按之前的工艺，早已将晶体管的组成部分做了几个分子和原子的厚度，构成半导体的材料早已超过了无限大。其中，最先超过这个无限大的部件是构成晶体管的栅极氧化物——栅极介电质，原先的工艺都是使用二氧化硅层作为栅极介电质。

“我们可以把栅极比喻为掌控水管的阀门，打开让水流过，重开累计水流。”中科院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心主任赵超告诉他记者，从65nm开始，我们早已无法让二氧化硅栅极介电质之后削减增厚，如果无法解决问题栅极向上的漏电问题以及源极和漏极之间的漏电问题，摩尔定律可能会过热，新一代处理器的问世有可能显得遥遥无期。找寻比二氧化硅更佳的“绝缘体”，迫在眉睫。

“这种材料不应具备较好的绝缘属性，同时在栅极和晶体硅衬底的地下通道之间（源极和漏极之间）产生很好的场效应。”赵超告诉他记者，英特尔公司的科学家经过重复测试，首度在22纳米CMOS技术节点引进低K-金属栅极技术，有效地减少了成本，增加了功耗并提升了器件性能。

“这项技术解救了摩尔定律，顺利研制低K-金属栅极并将之付诸量产，被誉为半导体业界40年来里程碑式的革命性突破。”赵超说道。自此，22纳米CMOS技术出了全球研究研发的又一代有根本性技术创新的集成电路生产工艺，各国都投放了极大资金，力争守住技术制高点。

这是我国集成电路研发体系绕行不过去的努。“2009年，在国家科技根本性专项的反对下，我国开始22纳米关键技术先导研发。我们与项目牵头分担单位，北京大学、清华大学、复旦大学和中科院微系统所的项目组一道，积极开展了系统的联合攻关。”赵超说道。

重新加入高端集成电路先导工艺研发国际俱乐部4位“千人计划”、5位中科院百人计划，30多位工业界核心的工程师团队……先导工艺研发中心享有这样一支令人艳羡的国际化研发团队。2009年，在国家科技根本性专项的反对下，微电子所正式成立研发团队并引入了一大批海归，竣工了享有200多名研发人员的集成电路先导工艺研发中心，赵超就是其中的一位。研发方向有了，人也有了，但项目团队仍然面对着极大的挑战。

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